Как выбрать триод

В нормированном использовании мощности МОС - трубка образует боковой выключатель высокого давления, когда одномоментная МОС - трубка заземлена, а нагрузка подключена к напряжению ответвления. В боковом выключателе высокого давления должна быть принята МОС - трубка с каналом N, из - за размышлений о напряжении, необходимом для открытых или проводящих элементов. При подключении МОС к шине и заземлении нагрузки используется боковой выключатель низкого давления. Обычно в определенной топологии используется MOS - трубка P - канала, что также связано с мыслью о приводе напряжения. Определение требуемого дополнительного напряжения или максимального напряжения, приемлемого для деталей. Чем больше дополнительное напряжение, тем выше прибыль деталей. Согласно теоретическому опыту, дополнительное напряжение должно быть больше, чем напряжение ветви или шины. Эта способность требует остаточного прикрытия, чтобы МОС - трубка не работала. Для выбора МОС - труб необходимо подтвердить максимальное приемлемое напряжение между полюсом утечки и исходным полюсом, т.е. максимальное VDS. Важно знать, что максимальное напряжение, которое может принять МОС - трубка, изменяется в зависимости от измерения. Мы должны проверить диапазон изменений напряжения по всему диапазону измерений миссии. Дополнительные напряжения должны иметь остаточный запас, чтобы покрыть определенную категорию изменений, чтобы гарантировать, что путь не будет работать. Остальные предохранительные элементы, которые необходимо учитывать, включают переходные изменения напряжения, вызванные электронными устройствами выключателя (например, генератором или трансформатором). Дополнительное напряжение не отличается от используемого; Как правило, портативные установки имеют 20 В, FPGA - 20 - 30 В, 85 - 220 ВАК - 450 - 600 В. Полусверхпроводник KIA предполагает, что трубка MOS обладает высокой прочностью на сжатие, имеет широкий диапазон использования и имеет глубокие глаза у обширных вкладчиков.

Этот дополнительный постоянный ток должен быть максимальным постоянным током, который может быть принят при любых обстоятельствах. Как и в случае напряжения, убедитесь, что выбранная МОС - трубка может принимать дополнительный постоянный ток, даже когда происходит фрагментация пикового постоянного тока. Два гипотетических состояния постоянного тока являются последовательными формами и импульсными пиками. В последовательной форме проводимости трубка MOS находится в стабильном состоянии, когда постоянный ток проходит через детали один за другим. Пик импульса означает небольшое количество электрического потока (или пикового тока), протекающего через устройство. Как только будет подтвержден максимальный постоянный ток в окружающей среде Агентства, достаточно будет косвенно выбрать устройство, которое может принять наибольший постоянный ток.
После выбора дополнительного постоянного тока необходимо также планировать расход провода. В практических условиях МОС - трубки не являются реалистичными деталями, так как в процессе теплопроводности будет потребление кинетической энергии, которое называется потреблением проводимости. МОС - трубка находится в « проводящем» состоянии, как однажды переменное сопротивление, определяемое RDS (ON) детали и значительно изменяется с измерением. Расход мощности деталей может быть рассчитан Iload2xRDS (ON), так как сопротивление обратной проводимости изменяется с измерением, а следовательно, и потеря мощности изменяется по контрасту. Чем выше VGS напряжение, приложенное к МОС - трубке, тем меньше RDS (ON); И наоборот, RDS (ON) будет выше. Обратите внимание, что сопротивление RDS (ON) будет слегка снижаться с постоянным током. Электричество для различных классов сопротивления RDS (ON)
Изменения газовых параметров можно найти в таблице навыков, необходимых производителю.

Необходимо учитывать две ситуации, которые не совпадают, а именно: наихудший и реальный. Предлагается принять предполагаемые последствия, рассчитанные на наихудший сценарий, поскольку тот или иной результат требует большего страхового запаса для обеспечения того, чтобы фрагментация не вступила в силу. В настоящее время на листе материалов МОС - трубки имеются дополнительные измерительные данные, требующие внимания; Температура узла равна произведению максимального условного измерения с тепловым сопротивлением и рассеянием мощности (температура перехода = максимальное условное измерение + [тепловое сопротивление x рассеяние мощности]). Максимальное рассеяние энергии фрагментов может быть определено в соответствии с форматом, то есть эквивалентно I2xRDS (ON) по границам. Мы уже будем проходить через максимальный постоянный ток деталей, чтобы иметь возможность планировать RDS (ON) без эквивалентности. Кроме того, нужно сделать дорожные щиты.
Теплоотвод из его МОС - труб.
Прорыв оползня означает, что обратное напряжение на полупроводниковой детали превышает максимальное значение и образует сильное магнитное поле, которое увеличивает постоянный ток в детали. Увеличение меры чипа улучшит ветрозащитную силу и в конечном итоге улучшит стабильность деталей. Таким образом, выбор более крупных пакетов может быть неэффективным для предотвращения оползней.

Параметры функционирования реактивных переключателей многочисленны, но наиболее важными являются емкость хранилища электрода / стока, электрода / источника и стока / источника. В этом хранилище происходит расход выключателей в деталях, так как они надуваются во время предыдущих переключателей. Таким образом, ход выключателя МОС - трубки был увеличен, и частота устройства также приземлилась. Чтобы определить общее потребление деталей в процессе включения, необходимо учитывать потребление в процессе включения (Eon) и потребление в открытом процессе (Eoff). Полная мощность выключателя MOSFET может быть выражена как уравнение второго порядка: Psw = (Eon + Eoff) x частота переключателя. Точечный заряд электрода (Qgd) больше всего реагирует на функцию выключателя.