Транзистор - полевой транзистор, MOSFET - радиочастота - Shenzhen Yuecheng electronic Commerce Co., LTD

Производитель Часть #	Доступность	Цена	Количество	Техническая	Packaging	Series	ProductStatus	TransistorType	Frequency	Gain	Voltage-Test	CurrentRating(Amps)	NoiseFigure	Current-Test	Power-Output	Voltage-Rated
MRF5S19060MBR1 RF L BAND, N-CHANNEL , TO-270 Freescale Semiconductor	393	-	запрос цен	Техническая	Bulk	-	Active	LDMOS	1.93GHz ~ 1.99GHz	14dB	28 V	-	-	750 mA	12W	65 V
MRF6S9125NBR1 RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N- Freescale Semiconductor	694	-	запрос цен	Техническая	Bulk	-	Active	LDMOS	880MHz	20.2dB	28 V	-	-	950 mA	27W	68 V
MRF7S19080HR3 RF L BAND, N-CHANNEL Freescale Semiconductor	656	-	запрос цен	Техническая	Bulk	-	Active	LDMOS	1.99GHz	18dB	28 V	-	-	750 mA	24W	65 V
MRF5S21100HSR3 RF S BAND, N-CHANNEL Freescale Semiconductor	334	-	запрос цен	Техническая	Bulk	-	Active	LDMOS	2.11GHz ~ 2.17GHz	13.5dB	28 V	10µA	-	1.05 A	23W	65 V
MRF8P26080HSR3 RF 2-ELEMENT, S BAND, N-CHANNEL Freescale Semiconductor	2,548	-	запрос цен	Техническая	Bulk	-	Active	LDMOS (Dual)	2.5GHz ~ 2.7GHz	15dB	28 V	10µA	-	300 mA	14W	65 V
BLF1043 RF PFET, 1-ELEMENT, ULTRA HIGH F Ampleon USA Inc.	2,692	-	запрос цен	Техническая	Bulk	BLF	Active	LDMOS	1GHz	18.5dB	26 V	1.5µA	-	85 mA	10W	65 V
MRF6S19100NBR1 RF POWER N-CHANNEL, MOSFET Freescale Semiconductor	185	-	запрос цен	Техническая	Bulk	-	Obsolete	LDMOS	1.99GHz	14.5dB	28 V	-	-	950 mA	22W	68 V
MRF6S21100NR1 RF S BAND, N-CHANNEL , TO-270 Freescale Semiconductor	336	-	запрос цен	Техническая	Bulk	-	Active	LDMOS	2.11GHz ~ 2.17GHz	14.5dB	28 V	10µA	-	1.05 A	23W	68 V
MRF6S21100NBR1 RF S BAND, N-CHANNEL , TO-272 Freescale Semiconductor	180	-	запрос цен	Техническая	Bulk	-	Active	LDMOS	2.11GHz ~ 2.16GHz	14.5dB	28 V	-	-	1.05 A	23W	68 V
MRF7S21080HR3 RF S BAND, N-CHANNEL Freescale Semiconductor	931	-	запрос цен	Техническая	Bulk	-	Active	LDMOS	2.11GHz ~ 2.17GHz	18dB	28 V	10µA	-	800 mA	22W	65 V
BLC10G22XS-570AVTZ BLC10G22XS-570AVT/SOT1258/TRAY Ampleon USA Inc.	3,098	-	запрос цен	Техническая	Tray	BLC	Active	LDMOS (Dual), Common Source	2.11GHz ~ 2.18GHz	15.7dB	30 V	2.8µA	-	1.15 A	570W	65 V
MRFG35010R5 RF POWER N-CHANNEL, MOSFET Freescale Semiconductor	158	-	запрос цен	Техническая	Bulk	-	Obsolete	pHEMT FET	3.55GHz	10dB	12 V	-	-	180 mA	10W	15 V
MWT-PH8F TRANS ALGAAS/INGAAS PHEMT Microwave Technology Inc.	100	-	запрос цен	Техническая	Case	-	Active	pHEMT FET	26GHz	12dB	3 V	300mA	-	1 mA	30dBm	-
MRF8S18120HR3 RF L BAND, N-CHANNEL Freescale Semiconductor	431	-	запрос цен	Техническая	Bulk	-	Active	LDMOS	1.81GHz	18.2dB	28 V	-	-	800 mA	72W	65 V
MRF8P23080HSR5 POWER, N-CHANNEL, MOSFET Freescale Semiconductor	150	-	запрос цен	Техническая	Bulk	-	Obsolete	LDMOS (Dual)	2.3GHz	14.6dB	28 V	-	-	280 mA	16W	65 V
CGH35015F 15W GAN HEMT 28V 6.0GHZ FLANGE Wolfspeed, Inc.	2,045	-	запрос цен	Техническая	Tray	GaN	Active	HEMT	3.3GHz ~ 3.9GHz	12dB	28 V	-	-	100 mA	15W	84 V
BLC10G27XS-400AVTZ BLC10G27XS-400AVT/SOT1258/TRAY Ampleon USA Inc.	2,179	-	запрос цен	Техническая	Tray	BLC	Active	LDMOS (Dual), Common Source	2.496GHz ~ 2.69GHz	13.3dB	28 V	2.8µA	-	750 mA	400W	65 V
MRF8S9100HSR3 RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N- Freescale Semiconductor	143	-	запрос цен	Техническая	Bulk	-	Active	LDMOS	920MHz	19.3dB	28 V	-	-	500 mA	72W	70 V
MRF6S19100HR3 RF L BAND, N-CHANNEL Freescale Semiconductor	180	-	запрос цен	Техническая	Bulk	-	Active	LDMOS	1.99GHz	16.1dB	28 V	-	-	900 mA	22W	68 V
BLC10G19XS-601AVTY BLC10G19XS-601AVTY/SOT1258/REEL Ampleon USA Inc.	100	-	запрос цен	Техническая	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	-	Active	LDMOS (Dual), Common Source	1.93GHz ~ 1.995GHz	15dB	30 V	2.8µA	-	1.06 A	600W	65 V

Общий 2777 Записывать«Предыдущая 1... 20 21 22 232425 26 27...139 Следующий»