Транзистор - полевой транзистор, MOSFET - радиочастота - Shenzhen Yuecheng electronic Commerce Co., LTD

Производитель Часть #	Доступность	Цена	Количество	Техническая	Packaging	Series	ProductStatus	TransistorType	Frequency	Gain	Voltage-Test	CurrentRating(Amps)	NoiseFigure	Current-Test	Power-Output	Voltage-Rated
BLS6G2731S-120,112 RF FET LDMOS 60V 13.5DB SOT502B Ampleon USA Inc.	3,898	-	запрос цен	Техническая	Tray	-	Active	LDMOS	2.7GHz ~ 3.1GHz	13.5dB	32 V	33A	-	100 mA	120W	60 V
NPT2010 HEMT N-CH 48V 100W DC-2.2GHZ MACOM Technology Solutions	3,642	-	запрос цен	Техническая	Tray	-	Active	HEMT	0Hz ~ 2.2GHz	15dB	48 V	-	-	600 mA	95W	48 V
BLF888AS,112 RF FET LDMOS 110V 21DB SOT539B Ampleon USA Inc.	2,517	-	запрос цен	Техническая	Tray	-	Active	LDMOS (Dual), Common Source	860MHz	21dB	50 V	-	-	1.3 A	250W	110 V
NPTB00025B HEMT N-CH 28V 25W DC-4000MHZ MACOM Technology Solutions	3,660	-	запрос цен	Техническая	Tray	-	Active	HEMT	0Hz ~ 4GHz	13.5dB	28 V	5.4A	-	225 mA	-	100 V
BLF178XRS,112 RF FET LDMOS 110V 28DB SOT539B Ampleon USA Inc.	2,750	-	запрос цен	Техническая	Tray	-	Active	LDMOS (Dual), Common Source	108MHz	28dB	50 V	-	-	40 mA	1400W	110 V
STAC1011-350F PTD WBG & POWER RF STMicroelectronics	2,767	-	запрос цен	Техническая	Tube	-	Active	LDMOS	1.03GHz ~ 1.09GHz	15dB	-	2µA	-	-	370W	80 V
BLF10H6600PSU RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539B Ampleon USA Inc.	2,729	-	запрос цен	Техническая	Bulk,Tray	-	Active	LDMOS (Dual), Common Source	860MHz	20.8dB	50 V	-	-	1.3 A	250W	110 V
BLF10H6600PU RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539A Ampleon USA Inc.	3,586	-	запрос цен	Техническая	Tray	-	Active	LDMOS (Dual), Common Source	860MHz	20.8dB	50 V	-	-	1.3 A	250W	110 V
CLF1G0035-100,112 RF MOSFET HEMT 50V SOT467C Ampleon USA Inc.	3,628	-	запрос цен	Техническая	Tray	-	Not For New Designs	GaN HEMT	3GHz	12dB	50 V	-	-	330 mA	100W	150 V
A3G26D055N-2515 RF REFERENCE CIRCUIT 55W 2515MHZ NXP USA Inc.	3,382	-	запрос цен	Техническая	Bulk	-	Active	GaN	100MHz ~ 2.69GHz	13.9dB	48 V	-	-	40 mA	8W	125 V
BLF888ESU RF FET LDMOS 104V 17DB SOT539B Ampleon USA Inc.	2,025	-	запрос цен	Техническая	Tray	-	Active	LDMOS (Dual), Common Source	600MHz ~ 700MHz	17dB	50 V	-	-	600 mA	750W	104 V
ARF1511 RF PWR MOSFET 500V 20A DIE Microchip Technology	3,979	-	запрос цен	Техническая	Bulk	-	Active	4 N-Channel	40.7MHz	15dB	380 V	20A	-	-	750W	500 V
ARF1505 RF PWR MOSFET 300V 25A DIE Microchip Technology	3,819	-	запрос цен	Техническая	Bulk	-	Active	N-Channel	27.12MHz	17dB	300 V	25A	-	-	750W	1200 V
BLS6G3135S-120,112 RF FET LDMOS 60V 11DB SOT502B Ampleon USA Inc.	3,160	-	запрос цен	Техническая	Tray	-	Last Time Buy	LDMOS	3.1GHz ~ 3.5GHz	11dB	32 V	7.2A	-	100 mA	120W	60 V
BLF578XRS,112 RF FET LDMOS 110V 23.5DB SOT539B Ampleon USA Inc.	2,341	-	запрос цен	Техническая	Tray	-	Active	LDMOS (Dual), Common Source	225MHz	23.5dB	50 V	-	-	40 mA	1400W	110 V
BLL6H1214L-250,112 RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502A Ampleon USA Inc.	2,226	-	запрос цен	Техническая	Tray	-	Last Time Buy	LDMOS	1.2GHz ~ 1.4GHz	17dB	50 V	42A	-	100 mA	250W	100 V
BLA8G1011L-300GU RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502A Ampleon USA Inc.	2,107	-	запрос цен	Техническая	Tray	-	Active	LDMOS	1.06GHz	16.5dB	32 V	-	-	150 mA	300W	65 V
BLA8G1011L-300U RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502A Ampleon USA Inc.	3,859	-	запрос цен	Техническая	Tray	-	Active	LDMOS	1.06GHz	16.5dB	32 V	-	-	150 mA	300W	65 V
BLA8G1011LS-300GU RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502E Ampleon USA Inc.	2,973	-	запрос цен	Техническая	Tray	-	Active	LDMOS	1.06GHz	16.5dB	32 V	-	-	150 mA	300W	65 V
BLA8G1011LS-300U RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B Ampleon USA Inc.	3,288	-	запрос цен	Техническая	Tray	-	Active	LDMOS	1.06GHz	16.5dB	32 V	-	-	150 mA	300W	65 V

Общий 2777 Записывать«Предыдущая 1... 80 81 82 838485 86 87...139 Следующий»