Что такое дополнительная функция?

Любая функция, включая модифицированную существующую функцию, которая не является существующей функцией.

Что такое терминальная форма

Образуя или образуя конец серии, последовательности или тому подобное; - закрытие; - в заключение.

Что такое конечная точка

Расстояние от одного полюса до другого.

Какое максимальное выходное напряжение

Максимальное выходное напряжение относится к динамической зоне, за пределами которой выход насыщен в положительном или отрицательном направлении и ограничен в соответствии со значением сопротивления нагрузке.

Что такое упаковка

Полупроводниковая упаковка представляет собой корпус, который объединяет и защищает полупроводниковые компоненты или интегральные схемы, изготовленные из металла, пластика, стекла или керамики.

+86 15815556552

Главная страница > Каталог продукции > дискретный полупроводниковый продукт > Транзистор - полевой транзистор, MOSFET - отдельный

Vishay Siliconix SISA12ADN-T1-GE3

Name: SISA12ADN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISA12ADN-T1-GE3
Price: 2.40 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (2 reviews)

Номер детали:: SISA12ADN-T1-GE3

Производитель:: Vishay Siliconix

Категория:: Транзистор - полевой транзистор, MOSFET - отдельный

Упаковка:: PowerPAK® 1212-8

Техническая:: SISA12ADN-T1-GE3.pdf

Описание:: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK1212-8

Количество:: запрос цен Добавить список Buy Now Add To Cart

Unit Price:$0

Ext Price:$0

Оплата:

Перевозки:

Подробности о продукте

Технические
FAQ
Сравнение

Packaging:: Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)

Series:: TrenchFET®

ProductStatus:: Active

FETType:: N-Channel

Technology:: MOSFET (Metal Oxide)

DraintoSourceVoltage(Vdss):: 30 V

Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:: 25A (Tc)

DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):: 4.5V, 10V

RdsOn(Max)@IdVgs:: 4.3mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(Max)@Id:: 2.2V @ 250µA

GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:: 45 nC @ 10 V

Vgs(Max):: +20V, -16V

InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:: 2070 pF @ 15 V

FETFeature:: -

PowerDissipation(Max):: 3.5W (Ta), 28W (Tc)

OperatingTemperature:: -55°C ~ 150°C (TJ)

MountingType:: Surface Mount

Категория:: Транзистор - полевой транзистор, MOSFET - отдельный

Техническая:: SISA12ADN-T1-GE3.pdf

1. Как заказать SISA12ADN-T1-GE3 на Shenzhen Yuecheng electronic Commerce Co., LTD?

В настоящее время Shenzhen Yuecheng electronic Commerce Co., LTD предоставляет обработку заказов только в формате "peer-to-peer". После отправки запроса на предложение (RFQ) наш профессиональный агент свяжется с вами с конкурентоспособными ценами на мировом рынке. Если вы примете наше предложение, агент поможет вам завершить заказ.

2. Как Shenzhen Yuecheng electronic Commerce Co., LTD гарантирует, что SISA12ADN-T1-GE3 поставляется от оригинального производителя или авторизованных агентов?

У нас есть профессиональная и опытная команда контроля качества, которая строго проверяет и тестирует SISA12ADN-T1-GE3. Все поставщики должны пройти квалификационную проверку, прежде чем они смогут разместить свои продукты, включая SISA12ADN-T1-GE3, на Shenzhen Yuecheng electronic Commerce Co., LTD. Мы уделяем больше внимания каналам и качеству продукции SISA12ADN-T1-GE3, чем любой другой клиент. Мы строго проводим аудит поставщиков, чтобы вы могли совершать покупки с уверенностью.

3. Насколько точны отображаемые цена и наличие SISA12ADN-T1-GE3?

Цена и наличие SISA12ADN-T1-GE3 часто меняются и не могут быть обновлены вовремя. Обновление происходит периодически в течение 24 часов. Наши предложения обычно истекают через 5 дней.

4. Какие формы оплаты принимаются?

Принимаются банковский перевод, PayPal, Alipay, Wechat, кредитные карты, Western Union, MoneyGram и Escrow.

Совет: Для некоторых заказов с определенными формами оплаты может потребоваться комиссия за обработку.

5. Как организована доставка?

Клиенты могут выбрать ведущие транспортные компании, включая DHL, UPS, FedEx, TNT и зарегистрированную почту. Также доступно страхование доставки.

После обработки вашего заказа на отправку наш менеджер отправит вам письмо с информацией о статусе доставки и номером для отслеживания.

Совет: Для отображения информации об отслеживании у транспортных компаний может уйти до 24 часов. Обычно экспресс-доставка занимает 3-5 дней, а зарегистрированная почта — 25-60 дней.

6. Каков процесс возврата или замены SISA12ADN-T1-GE3?

Весь товар проходит инспекцию перед отправкой (PSI). Для проверки систематически отбираются случайные партии вашего заказа. Если с доставленным SISA12ADN-T1-GE3 возникнут проблемы, мы примем возврат или замену SISA12ADN-T1-GE3 только при выполнении всех следующих условий:

(1) Недостаток количества, доставка неверных товаров или явные внешние дефекты (разрушение, ржавчина и т. д.), и мы признаем такие проблемы.

(2) Мы информированы о вышеописанных дефектах в течение 90 дней после доставки SISA12ADN-T1-GE3.

(3) Номер детали (PartNo) не использовался и находится только в оригинальной нераспечатанной упаковке.

Два этапа возврата продукции:

(1) Уведомление нас в течение 90 дней.

(2) Получение разрешения на возврат (Requesting Return Authorizations).

7. Как с нами связаться для получения технической поддержки, такой как схема подключения SISA12ADN-T1-GE3, или спецификация SISA12ADN-T1-GE3?

Если вам нужна послепродажная поддержка, пожалуйста, не стесняйтесь обращаться к нам.

Изображение
Номер детали	SI8447DB-T2-E1	SI8465DB-T2-E1	SI8824EDB-T2-E1	SI2303CDS-T1-BE3	SI1032X-T1-GE3
Производитель	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix
Packaging	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series	TrenchFET®	TrenchFET®	TrenchFET®	TrenchFET®	TrenchFET®
ProductStatus	Active	Active	Active	Active	Active
FETType	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)	30 V	30 V	30 V	30 V	30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	25A (Tc)	25A (Tc)	25A (Tc)	25A (Tc)	25A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)	4.5V, 10V	4.5V, 10V	4.5V, 10V	4.5V, 10V	4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs	4.3mOhm @ 10A, 10V	4.3mOhm @ 10A, 10V	4.3mOhm @ 10A, 10V	4.3mOhm @ 10A, 10V	4.3mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id	2.2V @ 250µA	2.2V @ 250µA	2.2V @ 250µA	2.2V @ 250µA	2.2V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	45 nC @ 10 V	45 nC @ 10 V	45 nC @ 10 V	45 nC @ 10 V	45 nC @ 10 V
Vgs(Max)	+20V, -16V	+20V, -16V	+20V, -16V	+20V, -16V	+20V, -16V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds	2070 pF @ 15 V	2070 pF @ 15 V	2070 pF @ 15 V	2070 pF @ 15 V	2070 pF @ 15 V
FETFeature	-	-	-	-	-
PowerDissipation(Max)	3.5W (Ta), 28W (Tc)	3.5W (Ta), 28W (Tc)	3.5W (Ta), 28W (Tc)	3.5W (Ta), 28W (Tc)	3.5W (Ta), 28W (Tc)
OperatingTemperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount